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1N4448W中文资料

  • 大小:123.69KB
  • 厂家:TD
  • 描述:Dated : 17/03/2012 Rev:01 TOP DYNAMIC 1N4448W Silicon Epitaxial Planar Switching Diode Fast Switching Diode Absolute Maximum Ratings (T a = 25 O C) Parameter Symbol Value Unit Peak Reverse Voltage V RM 100 V Reverse Voltage V R 80 V Average Rectified Forward Current I F(AV) 150 mA Forward Continuous Current I FM 300 mA Non-Repetitive Peak Forward Surge Current (at t = 1 μs) I FSM 4 A Power Dissipation P d 400 mW Junction Temperature T j 150 O C Storage Temperature Range T stg - 65 to + 150 O C Characteristics at T a = 25 O C Parameter Symbol Min. Max. Unit Forward Voltage at I F = 5 mA at I F = 10 mA at I F = 100 mA at I F = 150 mA V F 0.62 - - - 0.72 0.855 1 1.25 V Reverse Leakage Current at V R = 80 V at V R = 20 V at V R = 75 V, T J = 150 O C at V R = 25 V, T J = 150 O C I R - - - - 100 25 50 30 nA nA μA μA Reverse Breakdown Voltage at
  • 制造商:Taiwan Semiconductor
  • 产品种类:稳压二极管
  • 封装:Reel
  • 工厂包装数量:3000

1N4448W供应商

更新时间:2022-12-31 08:04:17
  • 供应商
  • 产品型号
  • 服务标识
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 说明
  • 询价
  • 1N4448W

    1N4448W
  • 严选现货

    严选现货= 现货+好口碑+品质承诺

    带有此标记的料号:

    1. 表示供应商具有较高市场知名度,口碑良好,缴纳了2万保证金,经维库认证中心严格审查。

    2. 供应商承诺此料号是“现货” ,如果无货或数量严重不足(实际数量不到显示数量一半),投诉成立奖励您500元。

  • 90000

  • CJ/长晶

  • SOD123/24+

  • 代理有售样品优势价格

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